在量子调控与量子信息重点专项的支持下,北京高压科学研究中心陈晓嘉教授团队以1%铬掺杂的硒化铅作为研究对象,在室温、施加压力(3万大气压附近)条件下,将1%铬掺杂的硒化铅热电优值调控到最高值1.7,远高于此前普遍认可的室温最高值;并进一步发现在热电优值达到最佳时,1%铬掺杂的硒化铅发生了拓扑相变,由最初的带状绝缘体转变成拓扑晶体绝缘体。该研究将热电效应与拓扑绝缘体关联起来,利用压缩晶格这一洁净有效的方法实现了拓扑态转变,为热电材料的性能调控提供了新途径,同时为未来热电材料在室温下的技术应用,特别是解决手机相关微电子器件的发热问题带来曙光。
(来源:中国科学技术部)
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